近日，国内首家多层外延工艺高压SJ MOSFET和SJ IGBT器件供应商超致半导体完成数千万元A轮融资，由聚卓资本、某知名产业基金共同完成本轮投资，盈杉资本担任独家财务顾问。

本轮融资完成后将主要用于开发全系列600V Trench FS IGBT和SJ IGBT、开发第3代多层外延超结MOS（pitch：7um）等产品。

上海超致半导体科技有限公司成立于2015年，是一家专注于高端功率器件的半导体产品公司。目前超致半导体是国内首家多层外延工艺的超结MOS供应商（和英飞凌/ST相同工艺），已经有了第一代和第二代的多层外延工艺从500V到800V全系列的超结MOS产品。超致SJ-MOSFET的第一代产品，性能和可靠性接近英飞凌C3，动态特性接近C6，能完全替代英飞凌C3或C6产品。

另外公司已经开发出全世界首个超结IGBT，超结IGBT (SJ-IGBT)是采用超结(Superjunction)结构，即在传统IGBT器件结构基础上，在外延层增加重复排列的PN柱的新型功率半导体器件。

公司利用国内知名8英寸工艺代工平台，采用具有自主知识产权的SJ-IGBT器件结构，推出全球首款量产SJ-IGBT产品。其电流密度超过英飞凌H5 20%，且SJ IGBT在理论上是性价比最高的低压IGBT（500-900V）。

SJ-IGBT器件延续了传统IGBT器件高耐压、低导通电压、高电流密度、高可靠性等优势，同时基于超结概念的结构设计提升了IGBT器件的综合性能。

目前第一代SJ IGBT已量产出货，值得注意的是英飞凌对外披露其SJ IGBT计划于2025年量产。

公司已经形成工业、准工业客户和高端消费类客户为基本市场面的格局，目前公司已经进入太阳能微逆变、锂电电动车充电机、UPS 以及推杆电机电源和高端消费类产品（如音响电源、打印机电源、咖啡机电源）等市场，成为国内少数替代境外品牌的国产高压超结MOS的供应商，同时也是众多工业领域成为除英飞凌、ST以外的国内唯一供应商。

超致半导体创始人&CEO禹久赢表示：超致半导体主要定位于工业客户和高端消费客户群，通过自主研发SJ MOS和世界首款SJ IGBT产品来实现对英飞凌、ST等国际大厂商替代，为高端功率器件的国产化出一份力。

本轮财务顾问方盈杉资本表示：我们重点关注半导体领域，尤其是结合工业场景和新能源背景下的功率器件的产品应用，超致产品凭借优异的研发能力、产品能力、供应链管理能力实现快速增长，我们也很荣幸陪伴企业一路成长。

盈杉资本是致力于为创新科技、生物医疗、大消费等行业的创新企业提供私募融资顾问、并购顾问、产业研究、企业战略咨询等金融业务的精品投资银行, 力求为客户提供全方位的资本市场综合解决方案，并全力支持合作伙伴通过金融交易手段实现可持续和快速发展。

责任编辑：kj005