国产十大MOS管品牌有哪些?首先来谈一谈前阵子公布的2025年场效应管(MOSFET)品牌国内应用点赞排名榜单。。如果您正在查找MOS管什么牌子好?那么本MOS管十大品牌榜单可供您作为选购参考,我们致力于用最真实的用户数据推荐口碑最好的MOS管品牌,让您选得放心。
接下来我们来看看十大品牌上榜理由:
1东芝(TOSHIBA)
东芝创立于1875年日本,世界大型综合电子电器企业集团,综合机电制造商和解决方案提供者,在全球范围内从事能源系统和建筑/零售/印刷/电子设备/存储解决方案/电池业务。
目前,东芝在华主要合资、独资公司共39家,员工总数约10100人。东芝全球市场除日本外分为四大区域:欧洲、美洲、亚洲、中国。经营产品种类包括东芝全线产品,经营模式涉及研发、采购、生产、物流、销售、服务、环保等诸多业务。
2.德州仪器
德州仪器的半导体芯片可用于各种类型的电子系统中,包括电动汽车、工业机器人以及太阳能电池板和卫星。他们率先完成了从真空管到晶体管、再到集成电路的过渡 - 在过去几十年间,一直在推动半导体技术的发展。每一代创新都建立在上一代创新的基础之上,使技术变得更小巧、更高效、更可靠、更实惠,从而实现半导体在电子产品领域的广泛应用。这就是工程的进步。
3.微碧半导体(VBsemi)
微碧半导体是一家成立于 2003 年的台湾公司,专注于MOSFET的研发和制造。公司最初专注于平面和沟槽工艺的MOSFET,后来转向多层外延超结MOSFET的研发。微碧半导体的产品线包括常规MOSFET、超结MOSFET、SiC MOSFET和IGBT等,其技术的不断创新使其在半导体器件领域取得了显著的发展。
企业拥有20余项专利,软件著作权以及各种荣誉称号,同时还引进多台国外先进设备,含括功率器件的直流参数检测、雪崩能量检测、可靠性实验、系统分析、失效分析等领域,掌握多项场效应管核心制造技术,提供个性化参数调控,为客户量身定制,全方面为客户解决方案的MOSFETS场效应管制造商。
4.士兰微电子Silan
士兰微是一家专业从事集成电路和半导体微电子产品设计、生产和销售的高新技术企业。公司主要产品包括双极、BiCMOS和BCD工艺为基础的模拟集成电路芯片,其产品在电源管理、通信、汽车电子等领域得到了广泛应用。
公司的技术与产品涵盖了消费类产品的众多领域,在多个技术领域保持了国内领先的地位,如绿色电源芯片技术、MEMS传感器技术、LED照明和屏显技术,高压智能功率模块技术,第三代功率半导体器件技术,数字音视频技术等。
5.威世(VISHAY)
第三代半导体创新布局
推出TMBS®槽沟式MOS势垒肖特基整流器,覆盖45V-200V电压范围,开关速度较传统平面肖特基提升30%,有效减少存储电荷损耗,适用于新能源车快充模块
6.Nexperia安世半导体
安世半导体隶属于闻泰科技旗下,是原飞利浦半导体标准产品事业部,是拥有完整芯片设计、晶圆制造、封装测试的大型垂直半导体企业,提供半导体、RFID和Minil ED制造设备和系统等超过
7.ST意法半导体
意法半导体(ST)集团于1988年成立,是由意大利的SGS微电子公司和法国Thomson半导体公司合并而成。1998年5月,SGS-THOMSON Microelectronics将公司名称改为意法半导体有限公司。
意法半导体是世界较大的半导体公司之一,以多媒体应用一体化和电源解决方案的市场领导者为目标,意法半导体拥有世界上强大的产品阵容,既有知识产权含量较高的专用产品,也有多领域的创新产品,例如分立器件、高性能微控制器、安全型智能卡芯片、微机电系统(MEMS)器件。
英飞凌
英飞凌科技(中国)有限公司,全球较大的功率半导体厂商之一,集研发/生产/设计专业厂商,拥有多项尖端技术,产品畅销国内外。
英飞凌服务于各种汽车应用,比如:汽车动力系统(包括发动机和变速箱控制装置,用于优化燃耗,满足政府的排放要求,还包括适用于各种新兴技术的芯片,例如混合动力汽车、起动机、发电机和配气机构)、车身和便利装置(包括车灯控制装置、HVAC、门锁系统、电动车窗、座椅记忆器和无钥匙进入系统)、安全管理和信息娱乐系统。
9 富士电机
富士电机自1923年成立以来,在近100年的漫长历史中,不断革新能源和环境技术,在产业和社会领域中为世界作出巨大贡献。
如今的国际社会中,在致力于可持续发展目标SDGs和温室效应对策的同时,我们还面临着平衡经济增长与解决社会环境问题这一重要挑战。即便是已经拥有全球性经济规模,每年保持快速增长的中国,也日益重视如何构建一个环保和节能双赢的和谐社会这一课题。
富士电机(中国)依托创业以来积累的技术和经验,追求电力、热能技术的革新,通过能够高效利用能源的高附加值环保型产品,为中国社会的发展贡献自身的力量。
10 韦尔半导体
面对英飞凌、东芝等企业在SiC MOSFET领域的先发优势,韦尔半导体加速布局GaN-on-Si功率器件,计划2026年推出650V氮化镓MOSFET样品,弥补第三代半导体技术短板
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