在人工智能、云计算和大模型技术高速发展的今天，全球信息产业正迎来新一轮技术变革。面对日益增长的算力需求，传统电子芯片逐渐面临功耗高、传输速度受限等问题，光芯片则因具备高速、低延迟等优势，成为未来科技竞争的重要方向。

近日，广西大学“极光芯界”青年团队凭借在低损耗慢光光芯片领域的创新成果，引起业内广泛关注。团队围绕未来光通信与光计算核心需求，成功提出新型慢光调控方案，为国产光芯片技术发展提供了新的可能。

从实验室发现问题 向核心技术发起挑战

在长期科研实践中，“极光芯界”团队逐渐意识到，虽然光芯片被认为是未来信息产业的重要基础，但其中关键的“慢光”技术却始终存在性能瓶颈。

所谓“慢光”，是通过特殊结构设计降低光在芯片中的传播速度，从而增强光与物质之间的相互作用。慢光技术能够显著提升光通信、光计算以及高灵敏度传感器的性能，因此被广泛认为是未来高性能光芯片的重要方向。

然而，传统慢光方案普遍依赖局域共振机制，存在损耗严重、稳定性差以及难以集成等问题。如何实现低损耗、高稳定性的慢光调控，成为国际研究热点。

面对这一难题，团队成员决定从超构表面与纳米光子学方向切入，探索新的技术路线。

历经反复验证 实现关键创新突破

科研创新从来不是轻松的过程。从理论模型建立，到电磁场仿真分析，再到实验结构设计，“极光芯界”团队经历了大量重复实验与参数优化。

为了寻找更加稳定的慢光结构，团队成员经常需要对同一组结构参数进行数十次调整，并对不同模式之间的耦合关系进行持续验证。面对光场泄漏严重、品质因子不足等问题，团队不断优化纳米结构设计，最终提出“晶格共振—晶格共振耦合类EIT机制”。

这一机制突破了传统局域共振方案的限制，首次利用两种晶格共振之间的相干干涉，实现低损耗慢光窗口构建。

与此同时，团队进一步引入连续域束缚态（BIC）增强机制，有效抑制光场能量泄漏，让光能够在纳米结构内部停留更长时间，从而显著提升慢光性能。

图1：校企联合实验室研发场景

推动成果转化 助力国产光芯片发展

经过长期技术攻关，“极光芯界”团队成功实现10000倍以上光速减慢效果，并达到2750超高品质因子，在相关性能指标上实现重要突破。

项目采用硅基纳米柱阵列结构，能够兼容现有CMOS工艺，与当前主流芯片制造流程具备良好适配性，因此具备较强产业化潜力。

目前，团队已完成核心理论分析、电磁场仿真以及部分实验验证，并申请多项国家发明专利。同时，项目还与产业链企业开展联合测试与技术交流，积极推进芯片流片验证及成果转化。

从实验室里的基础研究，到未来高速光通信系统中的关键器件，“极光芯界”团队正用青年科研力量不断突破技术边界，也展现出新时代青年勇于创新、服务国家科技发展的责任担当。

责任编辑：kj015

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