近日，英诺赛科(苏州)科技股份有限公司(以下简称：英诺赛科)向港交所主板提交上市申请，中金公司、招银国际为其联席保荐人。英诺赛科拟募资用于扩大8英寸氮化镓晶圆产能、研发和扩大氮化镓产品组合、扩大分销网络、营运投入等。

据招股书显示，英诺赛科由骆薇薇博士创立，是全球功率半导体革命的领导者，致力于氮化镓功率半导体行业及生态系统的创新。英诺赛科是全球首家实现量产8英寸硅基氮化镓晶圆的公司，亦是全球唯一具备产业规模提供全电压谱系的硅基氮化镓半导体产品的公司。根据弗若斯特沙利文的资料，按收入计，英诺赛科于2023年在全球所有氮化镓功率半导体公司中排名第一。

可再生能源和运算密集型应用的兴起一直在改变世界，该趋势导致对更高效更具经济效益的功率半导体产品的需求激增。氮化镓是一种具有高频率和低导通电阻的宽带隙半导体材料，已成为功率半导体行业持续变革的核心。英诺赛科一直通过不断创新引领技术发展潮流，其氮化镓产品，包括分立器件、集成电路、晶圆及模组，适合消费电子、可再生能源及工业应用、汽车电子及数据中心等广泛领域的客户。

产业布局方面，英诺赛科拥有珠海及苏州两座8英寸GaN-on-Si晶圆生产基地，采用先进的生产工艺及最先进的8英寸GaN-on-Si晶圆生产设备。在硅谷、首尔、比利时等地设立子公司。英诺赛科拥有一支具有丰富半导体行业经验的专家团队，英诺赛科工厂运营部副总经理李新华于2002年7月于中国上海交通大学获材料科学与工程学士学位，并于2015年1月于中国北京大学获软件工程领域工程硕士学位。李新华副总经理在半导体技术行业拥有丰富经验，在加入英诺赛科之前曾任职于中芯国际集成电路制造(北京)有限公司及中芯北方集成电路制造(北京)有限公司。

英诺赛科此次向香港证券交易所提交上市申请，是其发展历程中的重要里程碑。此举将为公司带来更多的资本支持，加速其技术创新和业务拓展的步伐。同时，借助国际资本市场的力量，英诺赛科将进一步提升其品牌影响力和市场竞争力，开启全球化征程。

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