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国产替代新突破:宇泉半导体推出SST专用碳化硅模块,创新工艺助力SST耐久可靠性

国产替代新突破:宇泉半导体推出SST专用碳化硅模块,创新工艺助力SST耐久可靠性
2026-07-27 14:46:24 来源:实况网

在半导体国产化的浪潮中,真正的突破不仅在于“有”,更在于“优”与“稳”。今日,宇泉半导体正式宣布,其自主研发的SST专用碳化硅模块成功问世并进入量产阶段,该模块针对新型电力系统、AI数据中心、交通电气化及零碳建筑等大功率、高频应用场景深度优化,尤其在耐久性与可靠性上实现了质的飞跃,为国产高端功率半导体器件再添新彩。

多样化配套方案,满足系统级需求

宇泉半导体此次推出的SST专用碳化硅模块,标志着国产功率模块在高端工业领域的工艺成熟度迈上了新台阶。它不仅是芯片级的国产化,更是封装工艺与材料科学的深度自主化。该系列化模块支持半桥与全桥拓扑,电压等级涵盖1200V-2300V,具备优异的静态和动态特性:在150°C结温条件下,导通电阻RDS(on)仅为4mΩ,低开关损耗控制,直接降低了SST(尤其是DAB拓扑)频繁功率变换的核心损耗,减轻散热负担和成本。同时,宇泉半导体可为SST客户提供从功率模块的性能与可靠性验证、应用解决方案开发(含拓扑选型、驱动设计、散热优化),到联合研发及供应链质量保障等全维度支持。

相较于进口同类产品,该模块在保持性能对标的同时,通过本土供应链与工艺优化,具备了更优的性价比与交付周期。尤其针对SST应用的SiC长期可靠性挑战,宇泉半导体提供了更具韧性的全链条的安全保障。

多维热-电协同设计,为SST可靠赋能

为应对SST高频开关带来的电压尖峰和振荡,以及高功率密度带来的热应力,该模块不仅采用了高性能基板(氮化硅AMB),还通过升级外壳材料, 优化芯片 Layout布局, 最大限度降低寄生参数,为SiC芯片提供更好散热路径,使其能够承受剧烈温度循环与功率冲击,保证模块实现高温稳定运行与高频开关能力双突破,赋能SST能效跃升。

精进封装技术,打造最优系统耐用性

模块的封装连接技术是SST稳定运行、保证供电连续性的基石,更直接关乎整机的使用寿命。宇泉半导体从底层工艺入手,创新地采用PIN针超声焊技术,从系统上重构模块高可靠性:相较于传统锡焊,超声焊技术为PIN针提供“永久性”的牢固连接,避免了界面疲劳损伤,提供极高的连接强度(推拉力通常可达392N以上)的同时,也带来更低的接触电阻和热阻,使模块能承受大电流、恶劣的振动和热循环冲击,助力实现更长的使用寿命,以及更出色的耐高温性能。此外,绿色环保的工艺,为下游客户的出口与合规性扫清了障碍。

技术的价值在于落地,工艺的精髓在于坚守。宇泉半导体SST专用国产碳化硅模块的问世,是宇泉半导体向市场交出的一份关于“耐久与信赖”的答卷。未来,宇泉半导体将持续深耕高压、高频、高可靠性SiC功率模块产品,以更可靠的封装技术,助力中国“芯”在能源电子领域行稳致远。

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责任编辑:kj015

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