为持续推进国内硬X射线光电子能谱（HAXPES）技术创新与应用发展，搭建高水平产学研交流平台，第二届HAXPES硬X射线光电子能谱研讨会将于2026年10月23日至25日在南京市江宁区格致路2222号天印健康创新园C1会展中心隆重举行。目前，会议通知已正式发布，注册通道同步开启。

★ 探测深度拓展至数十纳米，HAXPES技术成前沿研究利器

硬X射线光电子能谱（HAXPES）采用高能量硬X射线（5-10 keV）作为激发源，所激发产生的光电子具有更大的非弹性平均自由程，可将传统软X射线（1-3 keV）XPS的探测深度由10纳米以内拓展到几十纳米。该技术不仅能够实现对界面结构的无损深度表征，还能探测更深的芯能级，为基础科学研究和相关产业发展提供了强有力的支撑。

第一届HAXPES硬X射线光电子能谱研讨会已于2024年10月11日至13日在上海光源成功举办，汇聚了领域顶尖专家、高校师生、产业技术人员及仪器厂商代表200余人，初步搭建了国内HAXPES产学研交流平台。在此基础上，第二届会议将进一步集中交流国内HAXPES最新研究成果、技术方案，研讨行业前沿发展趋势。

第一届HAXPES硬X射线光电子能谱论坛部分参会代表合影

★ 四大机构联合主办，顶尖专家齐聚南京

本次会议由中国科学院上海高等研究院（上海光源）、北京高能同步辐射光源（HEPS）、中国科学技术大学国家同步辐射实验室（合肥先进光源）、爱发科费恩斯（南京）仪器有限公司联合主办，充分体现了国家重大科技基础设施与产业界协同创新的办会理念。

会议执行主席由宋飞研究员（中国科学院上海高等研究院上海光源科学中心）、王嘉鸥研究员（北京高能同步辐射光源HEPS）、叶逸凡副教授（中国科学技术大学国家同步辐射实验室）、鞠焕鑫博士（爱发科费恩斯（南京）仪器有限公司）共同担任。

★ 日程丰富：培训、学术交流与设备参观并重

本次会议日程安排紧凑、内容丰富：

• 10月23日（全天）：会议代表现场报到； • 10月23日（下午）：HAXPES专业分析技术培训班； • 10月24日全天至10月25日上午：学术交流； • 10月25日（下午）：HAXPES设备现场参观交流。

第二届全国HAXPES分析技术讲习班日程

会议将围绕HAXPES技术的最新研究进展、仪器设备研发、数据分析方法及其在材料科学、能源催化、半导体等领域的应用展开深入研讨。

★ 注册与收费标准

会议注册已全面开启，参会代表可通过扫码提交注册报名信息、缴费、发票信息等。扫码路径：关注微信公众号“PHI费恩斯-表面分析”，检索第二届HAXPES硬X射线光电子能谱研讨会可获取会议通知和报名二维码。

金秋十月，相约南京。第二届HAXPES硬X射线光电子能谱研讨会诚邀全国从事HAXPES相关研究的专家学者、高校师生、产业技术人员及仪器厂商代表踊跃参会，共同推动我国HAXPES技术迈向更高水平。

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