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从静态归档到持续调用:2026 AI基础设施峰会看存储角色变化

从静态归档到持续调用:2026 AI基础设施峰会看存储角色变化
2026-04-27 17:25:42 来源:实况网

2026年4月17日,由DOIT传媒主办的2026人工智能基础设施峰会在上海召开。从大会讨论的内容来看,有三个值得大众关注的点:

第一,AI时代让基础设施中的存储角色再次发生变化。过去,存储更多是对应保存、归档和读取,数据通常是在需要时被人或业务系统部分调用。现在,在大模型应用场景中,外部知识库与检索增强(RAG)、长上下文、行为记录和多轮任务状态等数据,由大模型进行持续存和反复调用,在更长链路中服务模型决策。存储,尤其是闪存,开始成为支撑AI长期记忆与持续调用的重要数据底座。

第二,AI效率不只看GPU,数据传输速度是决定因素之一。GPU堆得再多,如果数据准备慢、搬运慢、调用慢,依然会导致效率低下。训练阶段是这样,推理阶段也是如此。尤其在企业级AI场景中,真正影响体验的,不是单点峰值算力,而是端到端链路是否顺畅。存储能否提供更低时延、更高带宽和更稳定的服务质量,会直接影响AI服务部署的实际效果。

第三,从大模型训练到长上下文推理,存储正在承接更大的数据压力并基于新需求重新分层。训练需要持续吞吐更大规模的数据集,推理则同时面临RAG和长上下文带来的存取压力。随着AI数据湖持续扩容,数据准备本身也成为AI基础设施的重要一环。

总的来说,AI时代的数据压力是贯穿训练、推理、数据准备和长期调用全过程的。这也是大容量、高密度闪存路线关注度增加的主要原因。

存储分层方向,一个是训练、推理和服务部署需要的高性能低时延存储层,还有数据湖、数据准备、外部知识存储则所需要的大容量、经济型总体拥有成本的存储层。

闪迪亮相2026 AI基础设施峰会

以产品为示例,大会期间,闪迪展出的存储系列产品,可以更好地理解这些观点。

在企业级数据中心侧,闪迪走的是两条很清楚的产品路线。一条对应高性能层,一条对应大容量层。

其中,SN861 NVMe SSD是面向训练、推理和AI服务部署的高性能层产品。它采用PCIe ® 5.0接口,容量高达16TB1,强调低时延、较强的随机读写能力和更快的响应速度,适合大语言模型训练、长上下文推理和关键任务负载。

SN861没有追求单点性能参数,更多服务于企业级AI场景对稳定性和全生命周期效率的要求。比如,它兼容NVMe 2.0和OCP 2.0规范,支持1次或3次每日全盘写入(DWPD)2,并提供5年有限质保3。

更重要的是,新一代产品全部接口形态和全容量都支持FDP(Flexible Data Placement)功能。SSD不是把数据写进去就完了,实际写入过程中,数据会不断更新、覆盖、删除。为了腾空间,SSD内部经常要垃圾回收还有整理数据。如果各类冷温热数据混在一起,SSD就会频繁搬运数据,导致原本只写一次的数据,可能在盘内被多次重写,造成写入放大(WAF)。

FDP的核心价值是通过更合理的数据放置策略降低写入放大(WAF),从而延长SSD寿命,并改善性能和服务质量(QoS)。对企业用户而言,这是闪迪关注长期运行中的稳定性、寿命和成本的表现。

SN670 NVMe SSD则是另一类需求——AI数据湖、数据准备和知识库存储的大容量层。基于闪迪大容量企业级UltraQLC™平台,SN670容量高达256TB1。它背后整合的是BiCS8 QLC CBA NAND闪存技术、定制化控制器和系统调优能力,目标很明确——在有限空间和功耗约束下,把容量密度推得更高。

SN861和SN670两款企业级SSD,一类产品服务训练和推理,一类产品服务数据湖和数据准备,对应AI时代存储分层的变化。

此外,闪迪对AI相关存储的布局并不只是数据中心。随着本地化AI处理能力和车载AI系统的发展,闪迪还在移动端和汽车领域推出了新款UFS 4.1闪存产品。

移动端,闪迪推出iNAND® MC EU721嵌入式闪存驱动器,把QLC路线进一步带入智能移动设备,是闪迪首款面向智能移动设备的QLC UFS 4.1产品,满足新一代移动智能平台对容量、速度和可靠性的同步要求。

汽车领域,闪迪®iNAND® AT EU752 UFS 4.1嵌入式闪存驱动器同样是闪迪首款采用UFS 4.1标准的车规级嵌入式闪存产品,为智能座舱、车机系统和本地AI处理提供更高性能、更高可靠性的车规级存储支持。

最后

AI时代,训练、推理、数据湖、端侧AI、车载AI,看似需求分散,但其实都在指向同一个问题——数据到底能不能被更高效、更稳定、更低成本地进行存储和调用。围绕这一核心需求,闪迪正在推动存储产品从高性能层到大容量层、从数据中心到终端场景的持续延展。

¹ 一百万兆字节 (TB) 等于 1,000GB(1 万亿字节)。由于操作环境的原因,实际用户容量可能略少。

² NAND 耐久度。

³ 产品保修截止日期以下列时间中较早者为准:(i) 闪存介质达到其剩余寿命的百分之一 (1%) 或 (ii) 5 年到期。

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